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release time:2022-03-17Author source:SlkorBrowse:3967
第三代半导体材料又称宽带隙材料(Wide Bandgap Semiconductors),是那些带隙宽度较大(Eg≥2.3 eV)的半导体材料,主流的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),以及非主流的氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)是第三代半导体技术的主要代表。与[敏感词]代和第二代半导体材料相比,第三代半导体除能隙较宽外,击穿场强、导热率、电子饱和速率和抗辐射性也很出色。它们在制造高温、高频、抗辐射及大功率器件方面有优势,能够满足对更高能效能量转换系统的迫切需求。根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计达8.54亿美元。未来十年将达年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。
电动汽车、5G、大数据等诸多新型应用给半导体材料带来发展契机。在耗电量大的数据中心、各种各样的充电器、即将取代内燃机的电动汽车的牵引电机变频器等应用中,能效的提高都会减少石油、煤炭等传统能源消耗产生的二氧化碳。新材料还推进了再生能源的大规模应用,例如,宽禁带功率半导体可以让太阳能和风力发电的效率更高。
另一方面,随着基于 5G 的物联网(IoT)部署应用,万物互联网大规模普及,数十亿的用户、机器和设备能够实时共享大量的数据、高分辨率图像和高清视频流,远程手术、自动驾驶汽车、无人机送货和许多其他具有挑战性的应用将从概念变为现实。除了受益于人工智能(AI)和机器学习外,这些发展成果也离不开处理性能更高、带宽更高和延迟短的新材料。
MasterGaN1是意法半导体MasterGaN平台的[敏感词]产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。MasterGaN1采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm,现已量产。此外,意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。
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